根据曝光的细节，第六代骁龙8超级至尊版封装面积要大于第五代骁龙8至尊版芯片，并非单纯扩大计算单元，增加的封装面积主要来自新的散热结构。

　　报道指出，传统 PoP方案通常将 DRAM 直接放在 SoC 上方。这种做法有助于缩小主板占用空间，但内存与处理器热量会集中在同一位置。

　　而第六代骁龙8超级至尊版将 DRAM 从 SoC 顶部移到侧边，并加入散热片，类似于三星在 Exynos 2600芯片采用的 Heat Pass Block思路。

　　HPB 全称为 Heat Path Block，是三星在 Exynos 2600芯片中引入的散热技术，通过铜基散热块直接接触应用处理器，利用铜的高导热性迅速传导芯片热量至散热结构，从而降低芯片温度、提升性能稳定性。

　　科技媒体 Wccftech 认为通过侧置 DRAM 单元，并配合散热片，这种方式可以降低内存与 SoC 之间的热量累积，让 CPU 和 GPU 在更长时间内保持较高频率。附上相关如下：

　　细节方面，芯片照片可见“SM8975”和“101-BC”标识。Wccftech 据此判断，该版本预计支持 LPDDR5X 内存，而不会采用速度更高、能效更优的 LPDDR6。