SK 海力士今日正式宣布了其总额 1100 万亿韩元的中长期投资战略，计划在韩国龙仁、清州和西南区域进行大规模半导体产能建设。

　　SK 海力士在龙仁半导体集群的投资规模仍是 4 座晶圆厂共 600 万亿韩元，但其建设进度大幅加快，以满足不断增长的 DRAM 需求。这四座晶圆厂原定于 2045 年完工，但现在已加速到 2033 年完成第四座晶圆厂第一洁净室 的建设。

　　SK 海力士既有生产基地清州也将得到 100 万亿韩元的投资，这笔资金则将用于新建 NAND 晶圆厂、引入生产设备，并加强 HBM 后端先进封装能力。

　　剩余的 400 万亿韩元则将用于韩国西南地区，主要围绕存储器前端制程展开。相关准备工作将立即开始，目前选址尚未确定。

　　SK 海力士在 Q&A 中还提到，如果满足一系列基础设施与半导体生态条件，在海外建设晶圆厂也可能被纳入考虑范畴。该企业将根据未来的市场和业务状况做出全面决策。