长鑫存储今日官宣，长鑫存储自主研发的 LPDDR6 芯片已实现量产商用，首发搭载于

　　在设计方面：采用双子通道架构，常规模式下配置 24bit 原生 I/O，其高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重、信号均衡参数，配合智能训练机制，充分保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。在能效管理方面，LPDDR6 采用了双轨 DVFS 的设计，该设计提供了硬件层面的电压分离能力。同时，LPDDR6 也引入动态效率模式，实现策略调度。这些功能支持 LPDDR6 在不同负载下始终保持最佳能效比，为兼顾高算力与长续航的移动设备提供了灵活的内存支撑。在可靠性方面，LPDDR6 在原有 Link ECC、On Die ECC 基础上，新增每行激活计数防止行锤攻击，以及内建自测试等功能，以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。工艺设计协同创新：通过工艺与设计的协同创新，针对 CMOS 区域的关键电路和设计规则 LDR 进行了超过 100 项深度优化和创新，成功制造出尺寸更小，性能更优的 CMOS 晶体管，支撑了产品性能高带宽低功耗的升级需求。

　　此次后道封装采用的是 1295 Ball 的 FBGA 封装，由于该封装的焊球面积相对 LPDDR5 的 496 Ball 大 50%，制造难度也同步提升。在塑封环节长鑫采用了高导热型 High K EMC对芯片整体进行包覆保护，可使颗粒热阻下降 40% 左右，大幅改善 LPDDR6 高负载运行时的热量导出效率，充分保障颗粒性能稳定发挥。

　　该公司称，当下，高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6 作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。

　　长鑫存储此次成功推出 LPDDR6，是公司在高端存储自主研发中的重要里程碑。该产品目前正加速商业化与规模化应用，公司将持续优化其性能表现、丰富产品线组合，携手产业链伙伴，共同推动 LPDDR6 内存技术在更广泛智能场景中落地。

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