，未来还将进一步提升至 180 片以上。High NA EUV 光刻机的机队可用率当前已达 84%，预计今年底可达 90%，未来进一步迈向 93%。

　　ASML 提到，High NA EUV 的成像能力可满足未来最多 5 个 2D DRAM 制程节点的技术需求，该技术也有望减少先进制程芯片互连层的金属层总数。