特斯拉更新AI加速器路线将面向太空部署

发布时间:2026-11-08 12:09

  特斯拉公布了更新后的 AI 加速器路线图,进一步揭示了公司未来几年的芯片研发方向。根据这份路线图,特斯拉第六代推理加速器的算力预计将达到现有第四代芯片的 80 倍;而用于训练任务的 Dojo D3 将放弃以 SRAM 为核心的架构,转向采用多芯粒设计,并搭载堆叠式 HBM 高带宽内存。

  这份路线图中最值得关注的变化,或许是特斯拉重新启动了自主研发的 Dojo 训练加速器项目。

  马斯克曾在 2025 年 8 月取消整个晶圆级 Dojo 项目,并于 2026 年 8 月表示,SpaceX 和 xAI 将在其地面及太空数据中心中全部采用英伟达硬件。不过,第三代 Dojo D3 与前两代 Dojo D1、Dojo D2 将有明显不同。

  特斯拉将下一代 Dojo D3 描述为一款基于芯粒的训练加速器,采用 2.5D 和 3D 封装技术,并搭载堆叠式 HBM 内存。

  这与最初 Dojo D1 采用的晶圆级系统架构有很大不同。D1 主要依赖分布式片上 SRAM,并通过晶圆级封装技术,将 25 颗 D1 处理器连接起来,提供总计 11GB 的 SRAM。

  D3 转向 HBM,意味着特斯拉希望大幅提高内存容量。现代 AI 模型需要消耗大量内存,用于存储模型参数、激活值和中间计算数据。从容量角度来看,SRAM 已经不再适合满足这类需求。

  采用 HBM 可以让内存容量扩展变得更加容易,但也会带来不同的延迟、带宽、封装和功耗权衡。目前尚不清楚特斯拉是否已经彻底放弃晶圆级集成技术。

  另一种可能是,特斯拉认为晶圆级集成成本过高,只有在 SRAM 主导的特定架构中才具有较高价值。如果在采用晶圆级互连的逻辑芯片上继续堆叠 HBM,还会进一步增加设计复杂度、散热难度和制造难度,可能降低芯片良率,同时带来长期可靠性问题,最终推高成本。

  虽然可以通过增加冗余设计、改进制程技术等方式解决其中大部分问题,但这些措施都会增加成本。因此,D3 采用传统芯粒架构而非晶圆级封装的可能性似乎更高。

  不过,公司表示,Dojo D3 将针对“太空、训练和扩展能力”进行优化。这意味着该产品不仅要提供足够的计算性能,还需要具备较强的扩展能力。这也进一步暗示,D3 可能采用更传统的加速器架构,而非晶圆级封装方案。

  更值得关注的是,D3 还将针对太空环境部署进行优化。这可能意味着,至少部分型号需要具备抗辐射能力。

  路线图中的另一个重要信息,是特斯拉披露了第六代推理加速器 SI6 的大致算力水平:其算力预计将达到 HW4 的 80 倍,内存容量则是 HW4 的 9 倍。

  具体数值取决于如何衡量 HW4 的性能。按照目前的估算,SI6 算力可能达到 17280~46080 TOPS,即 17.28~46.08 POPS。不过,目前还不清楚 SI6 支持哪些数据格式,因此这些数字仍存在不确定性,只能作为参考。

  需要注意的是,英伟达 Rubin 已经开始向客户交付,而特斯拉 SI6 预计要到 2029 至 2030 年才会推出。

  目前,特斯拉汽车使用的第四代推理处理器最初名为 HW4,后来更名为 AI4,最近又被重新命名为 SI4。这款芯片由三星代工,采用 7nm 级制程工艺,并使用传统的倒装芯片球栅格阵列封装,预计搭载 16GB GDDR6 内存。

  需要指出的是,相关特斯拉演示文稿据称存在一处错误,将该芯片的制程标注为 5nm 级,实际上应为 7nm 级。

  特斯拉将 SI4 描述为当前完全自动驾驶技术的性能基准,未来几代芯片的性能都将以它为参照。不过,特斯拉并未正式公布这款芯片的绝对算力、内存容量和功耗,因此很难进行准确比较。

  按照路线图,下一代第五代推理加速器 SI5将采用多芯片模块设计,告别 HW4 使用的传统封装方式。

  特斯拉预计,SI5 的算力将达到 HW4 的 40 倍。马斯克此前解释称,这一提升来自两方面:计算能力提升 8 倍,主要得益于更先进的制程工艺和更多执行单元;硅片优化则进一步带来 5 倍性能提升。

  据此估算,SI5 的算力可能达到 8640~23040 TOPS,具体数值取决于 HW4 的实际算力基准。

  不过,SI5 的预计功耗也相当高,根据不同应用场景,可能达到 250W~800W。因此,现阶段对其实际性能进行估算仍存在较大不确定性。

  至于第六代推理加速器 SI6,特斯拉计划进一步将其算力提升至 HW4 的 80 倍,内存容量则达到当前一代芯片的 9 倍。

  按照上述估算,SI6 算力可能达到 17.28~46.08 POPS,内存容量则为 144GB。对于一款 AI 推理加速器而言,这意味着相当可观的算力和内存规模。

  特斯拉已经与三星晶圆代工部门签署协议,计划由后者为其生产第六代推理加速器,合作期限持续至 2033 年。

  最新路线nm 级制程工艺。考虑到该芯片预计在 2029 至 2030 年推出,以及三星近期更新的代工路线 可能采用汽车级 SF2A、性能增强版 SF2P,甚至是配备背面供电技术的 SF2Z。

  值得注意的是,特斯拉似乎并未计划在 2030 年代利用 Terafab 工厂的英特尔 14A 制程生产 SI6。

  在封装方面,SI6 将延续 AI5/SI5/HW5 引入的多芯片模块设计。这一选择较为合理,因为特斯拉届时已经能够积累第五代推理加速器的研发和生产经验,同时也可以将封装成本控制在相对合理的范围内。

  目前,许多汽车制造商都在考虑为下一代系统级封装采用多芯粒设计和 HBM 内存,这也将推高相关芯片的制造成本。

  至于特斯拉何时会在推理加速器中引入 HBM,目前仍没有明确答案,但 SI6 恐怕还不会采用这类内存。

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