西部证券发布研报称，功率半导体行业正由“产能扩张→价格下行”逐步转向“供需改善→价格修复→结构升级”。展望未来行业景气度，该行建议短期关注价格与盈利修复，中长期关注AIDC需求爆发、SiC/GaN渗透率提升、大尺寸晶圆良率提升及国产替代带来的结构性成长机会。

　　复盘来看，2023年功率半导体行业经历产能扩张带来的价格下行周期，2024年价格持续下行，2025年行业进入底部调整阶段。进入2026年，随着8英寸成熟制程产能增长放缓、库存逐步消化，叠加AI服务器、新能源汽车、储能及工业电气化等需求激增或改善，行业供需关系边际转好，国内外功率半导体厂商陆续提价，价格周期迎来拐点。

　　当前功率半导体主要在8英寸晶圆产线上制造，但为了应对新能源汽车IGBT和中大电流MOSFET的大量需求以及成本压力，全球头部厂商积极布局12英寸硅基晶圆产能，以期在规模化后降低约20%-30%的单颗芯片成本。在第三代半导体领域，碳化硅则正经历从6英寸向8英寸的迁移。从面积利用率来看，12英寸较8英寸有效产出提升约2.25倍，边缘损耗锐减;但在工艺端，12英寸功率器件面临严苛的背面减薄挑战，翘曲控制与碎片率或是核心技术壁垒。

　　SiC具备高击穿场强、低导通损耗及耐高温等优势，在高压、高频、高功率密度场景表现突出。随着新能源汽车800V平台、光伏及储能需求增长，SiCMOSFET及功率模块渗透率持续提升。GaN则具备高开关频率、低开关损耗及高功率密度优势，当前主要应用于消费电子快充、通信及数据中心电源等中低压高频场景，并逐步向更高功率应用拓展。随着SiC/GaN制造成本不断降低，其应用范围有望进一步拓展。

　　整车电压平台正从400V升级到800V，以满足长续航、快速充电需求，中高压功率器件如SJMOSFET、IGBT和碳化硅MOSFET将在车端大量应用，单车价值量有望持续提升。由于车规器件需通过AEC-Q100等认证且车规器件性能要求严苛，需承受高温、高湿、强振动、电磁干扰等恶劣工况，功率厂商进入汽车市场门槛较高。传统汽车电子供应链长期由头部Tier1厂商主导，供应链相对封闭;车规级和工业级客户对产品性能、可靠性及稳定性要求较高，验证周期较长、客户认证壁垒较高，后发厂商进入难度较大。伴随新能源汽车、AI算力中心、基础电力设施及清洁能源等领域需求快速增长，国内厂商正持续提升国产供应能力，自主可控和国产替代进程有望进一步加快。

　　传统数据中心机架功率通常在5-12kW之间，而AIDC的功率已发生质变：H100时代约40kW，GB200 NVL72时代跃升至125-132kW，预计2027年Rubin Ultra Kyber机架将达到600kW至1MW，数据中心供电架构也将从传统的48V向800VHVDC升级。机架功率在三年内的25倍增长，对功率半导体提出了全新的技术规格要求，相较于传统硅器件，SiC和GaN器件支持更快的开关速度、更低的开关损耗，并具有更优的热性能，是AI数据中心服务器PSU设计中使用的服务器PSU的理想选择。

　　1)国产功率半导体IDM企业：士兰微、扬杰科技、华润微、捷捷微电;2)Fabless企业：新洁能;3)代工企业：芯联集成;4)SiC/GaN企业：时代电气、斯达半导、英诺赛科、天岳先进。