三星已经通过长期供应协议锁定了约 70% 的内存产能。

　　HBM 现货价格最高可达到长期协议价格的 5 倍。

　　HBM 可以理解为将多层 DRAM 芯片进行堆叠封装而成的高性能内存。随着内存厂商开始向 HBM4 过渡，DRAM 市场面临的供应压力也进一步加大。

　　报道称，与此前的 HBM 产品相比，新一代 HBM4 单个模块使用的 DRAM 堆叠层数更多，因此会占用更多 DRAM 产能，并进一步减少可用于其他用途的 DRAM 供应量。

　　具体来看，三星正在考虑将其位于平泽园区的 S5 晶圆厂改造为内存制造工厂；而 SK 海力士则有意与一家日本企业合作，共同建设一家合资工厂。

　　更值得关注的是，该报道称，三星已经将高达 70% 的内存产能预留给长期供应协议，以满足最远持续至 2031 年的内存芯片供应合同。

　　长期供应协议是近年来存储芯片市场出现的一种新模式。分析人士认为，这类协议能够让厂商提前锁定需求，提高市场需求的可预测性，从而在一定程度上削弱存储芯片行业传统的周期性波动。

　　报道称，一颗 36GB HBM3E 模组目前的现货价格约为 287 万韩元，而长期供应协议中，同类产品的价格仅为 50 万至 70 万韩元。

　　对于采用 16 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品，价格还会进一步上涨，单个模组的价格约为 480 万韩元。

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