报道宣称英特尔代工 最早有望在 HBM4E 世代加入，结束台积电 独占这部分订单的局面。

　　从 HBM1 到 HBM3E，与 DRAM Die 同款的存储半导体工艺即可满足 Base Die 逻辑电路的需求。而随着复杂度和 PPA 要求的提升，SK 海力士从 HBM4 开始将 Base Die 切换为逻辑半导体工艺，据悉其在 HBM4 上使用了台积电的 12nm 制程。

　　报道援引的消息人士表示，台积电 Base Die 报价显著高于 SK 海力士自产 DRAM Die 的成本，英特尔代工成为第二供应商将提升 SK 海力士在与台积电谈判时的议价能力。