10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，报告期内，公司第五代工艺技术平台实现量产；在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证；LPDDR6 产品实现量产。

　　第五代工艺技术平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势，这主要取决于第五代工艺技术平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破，进一步降低功耗，提升接口速度，为 LPDDR6 未来的大规模量产和商业化应用提供技术平台支撑。公司目前基于第六代工艺平台开发的 4F² 架构，通过更紧凑的布局显著缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度，为未来的工艺技术平台迭代打下坚实基础。

　　4F² 架构是该公司面向下一代前瞻技术的重要布局。时间节点上，预计今年年底该公司会将采用 4F² 架构的首代 DDR5 RDIMM 产品送样，应用方向上，会优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸。规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况稳步推进。

　　长鑫科技称，4F² 架构采用了逻辑晶圆和存储晶圆键合堆叠的方式，在产品定义上有更大的灵活度。另外，公司自研的 VSG晶体管采用垂直包围沟道结构，打通了后续节点继续微缩的道路。

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