三星公司今天发布博文，宣布其在 2026 年未来存储与内存大会上，概述了面向人工智能基础设施的 3D 内存路线图，

　　在“引领人工智能革命浪潮：内存与存储架构的 3D 创新”主题演讲中，三星执行副总裁兼闪存产品与技术负责人李镇烨和副总裁兼 DRAM 设计团队项目负责人金京伦阐述了公司未来内存架构的发展路线图。

　　为满足先进 AI 计算需求，zHBM 打破传统设计，将 HBM直接垂直堆叠于 AI 加速器上方。此举缩短了数据传输距离，提升了带宽与能效，满足大规模 AI 训练与推理对超高速数据处理的需求。

　　援引博文介绍，结合下一代接口系统，zHBM 性能约为 HBM5 的 8 倍。借助下一代晶圆键合技术，zHBM 的内存密度超 HBM5 10 倍以上，能效提升 3 倍，热阻降低一半以上。

　　此外，zHBM 支持客户定制化设计，允许在内存与 AI 加速器之间的中间层集成定制化 IP，以扩展内存容量并提升加速器性能。

　　zNAND-O 是基于 V-NAND 技术构建的下一代高性能 NAND 解决方案，目前正开发 4 层与 8 层版本。该方案结合高空间效率、提升的 I/O 性能与低延迟特性，专为支持实时、数据密集型 AI 应用的边缘 AI 环境优化。

　　V10 BV-NAND 拥有超 400 层，通过晶圆键合技术堆叠内存单元，内存密度较上一代提升约 58%。

　　除层数增加外，其读取、写入与 I/O 性能均优于上一代，为未来 AI 系统与应用提供高性能、大容量 NAND 支持。

　　LPDDR5X-PIM 是行业首款采用存内处理技术的 LPDDR 内存，旨在通过在内存内部执行数据处理，提升数据移动与功耗效率。企业存储方面，展出了 PM1763 与 BM1773，以满足 AI 数据中心不断增长的存储需求。