，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。

　　三星电子的 5nm MRAM 拥有 -40~+150 ℃ 的宽广工作环境温度范围，能满足 AEC-Q100 标准要求，正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。

　　三星电子今年早些时候在另一场学术会议上展示了 8nm MRAM，基于 8nm MRAM 的边缘 AI 芯片也在今年 5 月完成了流片。