韩媒 Edaily 今天发布博文，报道称在 2026 年台北国际电脑展上，

　　注：HBM5 是面向未来高性能计算和人工智能训练需求设计的第八代存储技术。

　　HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推出市场，采用更先进的制造工艺，预计使用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM。

　　散热方面，为了应对超高功耗，HBM5 将采用浸没式冷却技术 ，即直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。