消息称三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发

发布时间:2026-08-19 13:38

  韩媒 the bell 在其当地时间 8 月 13 日发布的中表示,根据业内人士的透露,

  三星电子试图在 1d nm 阶段重夺“技术领先”桂冠。另一方面,三星电子已定下为 HBM5E 内存导入 1d nm DRAM Die 的目标,提早完成底层技术构建可为后续 HBM 的推出打下坚实基础。

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