长鑫科技披露招股意向书，该公司拟首次公开发行668,808.8608万股，占公司发行后总股本的比例约为10.00%。发行人授予中金公司不超过初始发行股份数量15.00%的超额配售选择权，若超额配售选择权全额行使，则发行总股数将扩大至769,130.1608万股，占公司发行后总股本的比例约为11.33%。初步询价日期为2026年7月13日，申购日期为2026年7月16日。

　　招股书披露，该公司是国内规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

　　据悉，该公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，根据Omdia的数据，按照产能、出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。近年来，国产DRAM厂商里长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%。

　　2023年度、2024年度及2025年度，该公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-167.52亿元、-78.70亿元及53.16亿元。2026年1-3月，公司实现营业收入508.00亿元，同比增长719.13%。净利润330.12亿元、归属于母公司所有者的净利润247.62亿元、扣除非经常损益后归属于母公司所有者的净利润263.41亿元，同比均扭亏为盈。

　　此外，基于公司目前的经营状况和市场环境，该公司预计2026年1-6月营业收入1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%。净利润660亿至750亿元、归属于母公司所有者的净利润500亿至570亿元，扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润520亿至580亿元，同比均扭亏为盈。

　　本次发行的募集资金扣除发行费用后的净额计划投入以下项目：75.00亿元用于存储器晶圆制造量产线亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90.00亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，合计295.00亿元。