东吴证券发布研报称，中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著，后续扩产空间广阔。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术，在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。国内国产化率仅8-10%，地缘政治环境复杂化背景下，国产替代逻辑强化，国内厂商正加速布局。重点推荐国内存储测试机领先布局厂商。

　　自2024年底以来，在AI算力需求拉动下，DRAM与NANDFlash现货价格均进入快速上行通道，DDR42024年底到2026年6月涨幅超17倍，DDR52025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年营收618亿元，2026Q1营收同比+719%，产能利用率长期维持90%以上，资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著，后续扩产空间广阔。

　　AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍，Trendforce预计2026年达275万台。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术，在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士、三星和美光占据，海外龙头已陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。

　　HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD测试环节，测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍。HBM对测试设备在供电能力、时序精度、高并行测试能力及测试算法等方面均提出更高要求。

　　存储测试机市场2025年由爱德万和泰瑞达主导，国内国产化率仅8-10%，显著低于其他测试设备细分赛道，是半导体设备自主可控的重要短板。地缘政治环境复杂化背景下，国产替代逻辑强化，国内厂商正加速布局。