芯联集成昨日宣布推出基于自研 8 英寸碳化硅 高压平面栅工艺平台的

　　芯联集成表示，其 3300V SiC MOSFET 以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值实现了卓越的导通与开关性能。

　　相较于 1200V 方案，3300V SiC MOSFET 在 10kV 中压固态变压器前端应用场景中可减少 60% 的功率单元及 MOSFET 用量，外围器件则可减少 70%，综合 BOM 成本降低 20~35%，有助于固态变压器的小型化与普及。

　　芯联集成还预告了适配 3300V SiC MOSFET 的高频高耐压高功率密度磁性器件。