中信建投发布研报称，对照全球先进封装工艺的发展路径，中国大陆的先进封装工艺目前正处于CoWoS技术渗透率快速提升的阶段。由于中国大陆的晶圆代工厂暂未进行RDL等中段工艺量产，而OSAT厂商在2.5D/3D/CoWoS领域均有所布局。能够率先突破量产且完成产能扩张的OSAT厂商有望形成先发优势，卡位占据较高的行业份额。但伴随产业发展趋势演进，类比台积电，中国大陆的晶圆代工厂在先进封装领域的重要性同样不可忽视，Foundry在前道技术和设备产能的优势能够有助于其在先进封装技术迭代中实现追赶甚至反超。

　　先进封装作为后摩尔时代提升芯片性能的重要手段，是封测产业发展的主驱力和核心增量，全球先进封装规模由2019年的252.9亿美元增长至2024年的407.6亿美元，预计2029年达到674.4亿美元，2024—2029年CAGR为10.6%，明显高于传统封装。中国大陆先进封装市场同样保持较快增长，规模由2024年的513.5亿元增至2029年的1,005.9亿元，CAGR约14.4%，市场占比持续提升。其中2.5D/3D增长最为突出，全球规模预计由2024年的81.8亿美元增至2029年的258.2亿美元，CAGR达25.8%。

　　先进封装的驱动力已由智能终端逐步切换至AI、HPC等高算力应用。随着芯片算力提升，I/O数量由几十上百个快速增长至成千上万个，传统封装难以满足高密度互联需求，推动封装向Chiplet、2.5D/3D异构集成演进;同时，HBM由平面向高层数3D堆叠发展，进一步提升封装工艺需求。光互联方面，COUPE推动光电转换环节向封装层下沉，形成算力、存储与光互联协同驱动的增长格局，先进封装在芯片性能提升中的重要性持续提高。

　　当前已形成以CoWoS为基础、CoWoP、CoPoS、SoIC、EMIB等多技术路线并行演进的格局。CoWoS已进入量产并广泛用于AI芯片、HPC及HBM;CoWoP通过PCB替代传统载板降低成本，CoPoS通过大尺寸Panel提升单位产出，SoIC则通过更小键合间距进一步提高互连密度、降低延迟和功耗;与此同时，HBM持续向更高层数堆叠发展，COUPE推动硅光与先进封装融合。在需求端快速增长下，先进封装供给持续紧张。

　　先进封装需求不及预期风险：AI算力芯片、Chiplet、HBM等应用仍处于快速发展阶段，若下游终端需求、资本开支或产品迭代放缓，可能导致先进封装订单及产能利用率低于预期。

　　技术迭代与路线D、Chiplet、CPO等技术仍在持续演进，不同技术路线的商业化节奏存在不确定性，若客户技术方案调整，可能造成已有设备、产线及研发投入回报低于预期。

　　客户导入及量产进度风险：先进封装产品通常需经历技术验证、小批量试产、可靠性认证后再进入规模量产，客户导入周期可能较长，相关项目存在研发或量产进度不及预期的风险。

　　产能扩张及盈利能力风险：先进封装项目具有较高资本开支和设备投入，若行业竞争加剧、产品价格下降或新增产能释放快于需求增长，可能导致产能利用率下降并对毛利率形成压力。

　　供应链及制造良率风险：先进封装涉及载板、中介层、键合材料、设备及高精度工艺协同，供应链稳定性和良率爬坡对盈利影响较大，若关键环节出现短缺或良率提升不及预期，可能影响交付和成本控制。

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