三星电子的 GaN半导体 8 英寸晶圆代工项目在试产阶段遭遇瓶颈。原因是在试产过程中，

　　三星电子目前正在排查芯片发生缺陷的原因。业内普遍将目光指向了晶圆制造工艺环节。有分析认为，三星电子为了达到芯片预设的性能目标而对部分工艺进行了调整，这可能是引发问题的根源所在。

　　据介绍，GaN 半导体晶圆需要使用经过特殊工艺处理的外延片。其结构是在硅等基底晶圆上，通过外延工艺生长出 GaN 层。如果 GaN 层的质量或晶体结构未达到最佳状态，在承受高温和高压时，缺陷就会被进一步放大。三星电子目前已引入专用的有机金属化学气相沉积设备，通过自研自产来供应外延片。

　　一位精通该事务的知情人士指出：“为了满足功率半导体最低 2~3V 的阈值电压要求，团队对晶圆工艺进行了修改，但这似乎导致他们忽略了对芯片寿命的影响。”GaN 半导体通常需要 2V 左右的阈值电压。如果阈值电压过低，芯片即使面对微弱电流也会产生响应，从而引发故障。

　　业界普遍认为，本次暴露出的缺陷问题可能会导致代工线的投产时间再延后数月。一位要求匿名的三星电子 GaN 代工客户指出：“三星电子一直将精力集中在存储芯片等核心业务上，导致其在功率半导体代工领域的布局本就落后于竞争对手。”目前，英飞凌、意法半导体、德州仪器以及英诺赛科等厂商早在 1 至 2 年前就已经开始销售 GaN 半导体产品。

　　针对上述情况，三星电子一位相关负责人回应称：“目前产品仍处于量产之前的开发阶段，在此期间出现的问题尚不能直接定义为产品缺陷。”

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