，显著的产出贡献则于 2028 年发酵；而 NAND 端则会见到各大厂加速升级至高层数产品与新厂产能逐步释放。

　　此外，由于 HBM 制造流程所需的晶圆投入远高于一般 DRAM，导致新增内存投片量无法等比例转换为有效容量产出，DRAM 领域的容量缺口将从今年的 1~2% 进一步扩大。

　　当然，内存成本过高反作用于云服务供应商资本支出规划、代理式 AI 普及取得突破式进展而再度拉动高速固态硬盘的需求等都是可能出现的情况。