韩国水原地方法院近日就三星电子诉两名前 NAND 闪存设计员工跳槽至竞争对手 SK 海力士一案作出裁决，部分支持了三星提出的竞业禁止请求。根据法院裁定，这两名员工在 2027 年 4 月 30 日之前不得为 SK 海力士及其关联公司工作。

　　本案源于三星电子对其核心人才流失的担忧。据了解，这两名员工在三星存储器部门任职约 10 至 11 年，深度参与 NAND 闪存设计工作，于今年 2 月跳槽到 SK 海力士。三星方面此前依据竞业禁止协议，要求法院对两人实施为期两年的就业限制。

　　法院在审理后认定，涉案的 NAND 闪存设计技术属于韩国“国家核心技术”范畴，因此有必要对前员工施加一定的竞业限制以保护企业的合法权益。不过，法院并未完全采纳三星的主张，而是将限制期限缩减至 18 个月。

　　作为全球存储芯片市场的两大巨头，三星电子与 SK 海力士在 NAND 闪存领域竞争激烈，高端设计人才的流动直接关系到双方的技术优势与市场份额。

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