台积电正大力推进 CoPoS技术，计划以此取代 CoWoS方案；玻璃核心基板是实现该技术路线的关键，这家台湾地区晶圆代工厂因此大幅提速该技术的研发与量产进程。

　　报道称，“台积电全力落地 CoPoS 技术，并加速搭建配套产业生态。想要突破 CoWoS 现有物理性能瓶颈，玻璃核心基板能够提升量产良率的特性是核心突破口。一众台湾地区厂商正加紧研发玻璃核心基板配套关键技术与 CoPoS 制程设备，力求在 AI 芯片先进封装赛道抢占领先地位。”

　　业界已充分验证 CoPoS 相对 CoWoS 的多重优势：CoPoS 采用方形 / 矩形大尺寸面板基材，对比 CoWoS 的圆形晶圆设计，单块基材可容纳更多芯片与存储模组。

　　标准 CoWoS 晶圆尺寸约 300 毫米，而 CoPoS 面板最大可达 750×620 毫米。该方案不仅能容纳尺寸更大的算力裸片，还能提升基材与芯片利用率，单位面积生产成本可降低 20% 至 30%。

　　搭配先进封装工艺后，面板级封装可实现超大规格多芯片整合封装。成本层面的另一大优势在于以玻璃替代传统硅材料，支撑大规模、高性价比量产。台积电现已建成首条 CoPoS 试验产线，台湾地区业内专家表示，搭载玻璃核心基板的 CoPoS 技术是下一代高端芯片填补供需缺口的关键支撑。

　　台积电规划，CoPoS 面板将于 2027 年正式开启试生产，2028 年实现规模化量产；而集成玻璃核心基板的完整 CoPoS 工艺量产时点则定在 2030 年之后。台积电美国亚利桑那工厂预计将在 2029 至 2030 年承担大量 CoPoS 生产任务。

　　与此同时，台积电也计划将玻璃基板技术改良应用于现有 CoWoS 工艺，相关研发工作正在推进，改良后可实现成本下降、芯片利用率提升等多重优化。台积电携手揖斐电、群创光电联合研发玻璃核心基板，产品采用三层结构设计，玻璃核心层夹在两层 ABF 树脂层中间。

　　报道称，“CoPoS 采用面板级封装，把传统圆形基材改为方形，可将原有 12 英寸圆形晶圆不足 70% 的材料利用率提升至 90% 以上，能够解决 2028 年后超大尺寸 AI 芯片因光罩尺寸拉满带来的基材几何损耗、成本暴涨难题。”

　　上述技术量产时间线，与英特尔及其合作方此前披露的规划基本吻合。安靠科技高管曾表示，英特尔玻璃基板技术三年内即可实现商用，搭载共封装光学器件的高端面板级封装方案也已对外展示。英特尔计划将里奥兰乔工厂打造为玻璃核心基板封装技术的核心标杆产线。

　　未来，台积电与英特尔将成为玻璃核心基板赛道两大核心厂商。英特尔代工业务已取得不俗成绩，EMIB 等先进封装方案获得多家大客户广泛采用；随着其加速布局玻璃核心技术，英特尔未来将在晶圆代工行业占据重要席位。

　　另有报道指出，AMD 将成为台积电核心客户，其面向消费端的 Zen7 系列处理器，将采用台积电扇出型面板级封装与 1.4 纳米制程工艺。FOPLP 与 CoPoS 技术的应用场景不止消费级产品，还将在面向 AI 与算力场景的数据中心市场发挥更大作用。