三星在本次展会上展示了全球首款 HBM5 内存，最新报道则聚焦全新的 HPB 散热架构，该技术面向更高密度、更高速度的 HBM 堆栈，核心目标是降低散热压力，支撑 AI 数据中心所需的高带宽内存升级。

　　该媒体称三星的 HPB 散热架构在封装内部加入独立热柱。热柱可从堆叠内部带走热量，并导向封装上方或侧边的散热器。

　　三星把重点放在 D2D PHY区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速连接层。随着堆叠变高、速度变快，这里的温度和功耗密度快速抬升。三星称，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和验证。

　　三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系统更强大且集成更密，热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同样关键。

　　三星同时拥有内存业务和逻辑代工业务，因此可把 HBM5 堆叠与 2nm 基底芯片纳入自家制造体系。

　　SK 海力士也瞄准同一热点，但采用不同路线。其 iHBM方案把电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻。三星选择建立热量外排通道，SK 海力士则把冷却元件放在热点处。